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一款高三階交調點(diǎn)的GaAs射頻放大器
- 介紹了一款滿(mǎn)足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線(xiàn)性度，高三階交調點(diǎn)的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質(zhì)結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進(jìn)行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線(xiàn)性度，提高了三階交調點(diǎn)指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調點(diǎn)達到40 dBm，線(xiàn)性度高，適用于5G通信信號處理系統。
- 關(guān)鍵字： 202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調點(diǎn) 高線(xiàn)性度
一款應用于Wi-Fi?6E設備的GaAs?HBT功率 放大器
- 摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應引起增益及線(xiàn)性度惡化的問(wèn)題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
- 關(guān)鍵字： 202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
Strategy Analytics：蜂窩應用推動(dòng)RF GaAs收益超8億美元
- 在經(jīng)歷2016年相對平穩的一年之后，2017年RF GaAs設備市場(chǎng)收益增長(cháng)了超過(guò)7%。盡管GaAs設備被應用在各種商業(yè)和國防應用中，但無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)仍然是該技術(shù)的主要用戶(hù)。 移動(dòng)手機將繼續定義收益軌跡，但新興的5G網(wǎng)絡(luò )部署將有助于未來(lái)的增長(cháng)。 Strategy Analytics高級半導體應用(ASA)服務(wù)最新發(fā)布的研究報告《RF GaAs設備行業(yè)預測：2017年 - 2022年》預測，RF GaAs收益將在預測期結束時(shí)突破90億美元的里程碑?！ trategy Analytics高級半導體應用(ASA
- 關(guān)鍵字： RF GaAs
高通搶進(jìn)GaAs制程PA市場(chǎng) 穩懋順利搶下代工大單
- 美國高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案，包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊，與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation，CA)的動(dòng)態(tài)天線(xiàn)調諧解決方案。 穩懋月合并營(yíng)收 據了解，高通為搶攻GaAs的功率放大器市場(chǎng)大餅已擴大委外，臺灣GaAs晶圓代工廠(chǎng)穩懋勇奪代工大單。 穩懋是全球最大GaAs晶圓代工廠(chǎng)，多數智能手機內建PA或RF(射頻)組件皆由穩懋代工。 法人表示，穩懋近期股價(jià)表現強
- 關(guān)鍵字： 高通 GaAs
石墨烯中的電子表現得像光一樣 甚至更好
- 由哥倫比亞大學(xué)物理學(xué)助理教授Cory Dean，弗吉尼亞大學(xué)電氣和計算機工程教授A(yíng)vik Ghosh以及哥倫比亞大學(xué)Wang Fong-Jen名譽(yù)工程教授James Hone領(lǐng)導的一個(gè)團隊，第一次直接觀(guān)察到了在電子通過(guò)導電材料中兩個(gè)區域之間的邊界時(shí)發(fā)生了負折射。這種效應在2007年首次被預測，但一直以來(lái)都難以從實(shí)驗上來(lái)證實(shí)。研究人員現在能夠在石墨烯中觀(guān)察到了這種效應，證明在原子級別的厚度的材料中，電子表現得像光線(xiàn)一樣，可以通過(guò)透鏡和棱鏡等光學(xué)器件進(jìn)行操縱。這項發(fā)表9月30日的《科學(xué)》雜志上的研究結果可
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 GaAs
瑞典新興公司宣布針對太陽(yáng)能的納米線(xiàn)突破技術(shù) 具備可提高模組性能50％以上的潛力
- 瑞典隆德4月22日，在一項針對太陽(yáng)能的重大突破技術(shù)上，瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線(xiàn)技術(shù)在薄膜上取得了校準和定向的成功。此項成就彰顯太陽(yáng)能納米線(xiàn)制造迄今最重要的技術(shù)里程碑，為光伏(PV)模組實(shí)現27%及更高的轉換效率鋪平了道路—此舉將使現今的太陽(yáng)能模組轉換效率提升50%?！ 〖{米線(xiàn)在太陽(yáng)能發(fā)電上展現出了前景可期的特性，但由于高深寬比及材料特性卻使納米線(xiàn)非常難以校準。通過(guò)在標準尺寸晶圓上以厘米級控制納米線(xiàn)的校準和定向，Sol Volta
- 關(guān)鍵字： GaAs 模組
2018年GaAs射頻器件收入將飆升至80億美元
- 根據StrategyAnalytics高端半導體應用(ASA)電子數據表模型和GaAs器件預測與前景展望報告顯示，手機終端中砷化鎵的應用仍然是GaAs器件增長(cháng)的主要驅動(dòng)力，GaAs器件市場(chǎng)繼2014年創(chuàng )下射頻器件收入記錄后，有望在今年突破70億美元大關(guān)，預計到2019年總收入將飆升至峰值80億美元。報告提到，雖然價(jià)格侵蝕與技術(shù)競爭將削減其增長(cháng)速度，但是GaAs器件收入將繼續保持增長(cháng)的勢頭。 報告得出結論，無(wú)線(xiàn)應用仍然是GaAs器件的主要市場(chǎng)，占據了總額的約80%。其中,無(wú)線(xiàn)應用中的手機終端占據了
- 關(guān)鍵字： GaAs 射頻器
高效率高諧波抑制功率放大器的設計
- 0 引言 隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)通信的快速發(fā)展和廣泛普及，無(wú)線(xiàn)系統標準對收發(fā)機的性能要求越來(lái)越高。功率放大器作為發(fā)射機的主要組成部分，其指標決定著(zhù)發(fā)射機的性能，如效率 決定著(zhù)整機功耗，線(xiàn)性度決定著(zhù)整機的動(dòng)態(tài)范圍，諧波分量大小又是發(fā)射機線(xiàn)性度的度量。傳統的功率放大器為了獲得較高效率，功放管通常會(huì )工作于飽和狀態(tài)，這 時(shí)將有大量的諧波分量產(chǎn)生。如果不對諧波分量加以回收和抑制，這不單會(huì )造成能量的浪費，降低了其效率，還會(huì )對其他信道的信號造成干擾。 通常功率放大器為了獲得較高的效率和較低的諧波分量都使得功率放大器工
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 GaAs
GaAs過(guò)時(shí)了 CMOS工藝將主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代
- “硅是上帝送給人類(lèi)的禮物，整個(gè)芯片業(yè)幾乎都拿到了這份禮物，無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場(chǎng)與應用工程副總裁錢(qián)永喜日前在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)如是說(shuō)。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時(shí)代“該結束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來(lái)十年內主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。 業(yè)界對CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒(méi)有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
- 關(guān)鍵字： CMOS GaAs ZigBee
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